Згідно з Taiwan Economic Daily, президент TSMC Вей Чжецзя раніше оголосив, що обіцянка «масового виробництва 3-нанометрових пристроїв на Тайвані протягом цього року» буде виконана найближчим часом. 23 грудня TSMC надіслала запрошення на захід, а наступного тижня (29 грудня) проведе церемонію масового виробництва 3-нм технології та розширення заводу в Нанке. На юридичній зустрічі в жовтні цього року Вей Чжецзя зазначив, що прогрес у 3-нм техніці є хорошим. Він стверджує, що завдяки високошвидкісним обчисленням і додаткам для мобільних телефонів клієнти вимагають 3-нм. На даний момент попит на нано перевищує можливості.

До цього Вей Чжецзя також заявив на технічному форумі, що 3-нм TSMC «має невимовні труднощі». Однак незабаром його почнуть масово виробляти, і він збереже структуру польового транзистора (FinFET). Це головним чином тому, що технологічний процес «не тільки має добрий вигляд, але й добре звучить».

TSMC неодноразово заявляв, що цього року буде масово виробляти 3-нм технології в Нанке. Завод Nanke Wafer Facility 18 є основною виробничою базою 3-нм процесу. 3-нанометровий техпроцес стане ще одним процесом повного покоління після 5-нм (N5). Сімейство 3n включає кілька комбінацій. Цього року 3-нм буде масово вироблятися, а на наступний рік компанія планує масове виробництво N3E. Після наступного року він вироблятиме N3P.

Samsung вже має 3-нм чіпи

Ще в липні Samsung Electronics оголосила, що почала масове виробництво 3-нм чіпів для деяких клієнтів у сегменті високопродуктивних обчислень, випередивши TSMC. По-перше, як пояснює Nikkei Asian Review, рішення Samsung розпочати виробництво 3-нм чипів на підприємстві Хвасон, де традиційно проводиться налагодження та освоєння нової літографії, свідчить про те, що обсяги виробництва не будуть дуже великими. По-друге, першими одержувачами 3-нм чипів Samsung стануть китайські бренди спеціалізованих прискорювачів для майнінгу криптовалют.