Samsung є провідною компанією в області напівпровідників. Виробляє датчики для камер, пам’ять, чипсети, накопичувачі, батареї тощо. У всіх цих напрямках південнокорейська компанія активно працює. Але одна справа зробити прорив у конкретному напрямку, а зовсім інша – донести його до кінцевих споживачів. Наприклад, нещодавно віцепрезидент Samsung Янгван Ко сказав на семінарі в Сувоні, Південна Корея, що оскільки напівпровідники пам’яті стають все більш потужними, технологія пакування повинна розвиватися разом. У зв’язку з цим він сказав, що застосування процесу MSAP до чіпів пам’яті DDR6 дозволить Samsung виготовляти чипи з тоншою схемою.
Як повідомляється Elec, конкуренти Samsung використовували технологію пакування MSAP для пам’яті DDR5 до цього. Але Samsung хоче зробити крок вперед і використовувати його для DDR6.
Пам’ять DDR6 із технологією MSAP матиме багато переваг
На початку цього тижня Samsung випустила свій перший чип GDDR6 DRAM для відеокарт зі швидкістю 24 Гбіт/с. У відповідних звітах йдеться, що компанія знаходиться на ранніх стадіях розробки DDR6. Якщо вірити звіту, опублікованому минулого року, Samsung завершить розробку пам’яті DDR6 у 2024 році.
Очікується, що DDR6 буде вдвічі швидшим за DDR5 і матиме вдвічі більше каналів пам’яті. DDR6 (JEDEC) може досягти швидкості передачі даних близько 12800 Мбіт/с і підтримує розгін до 17000 Мбіт/с.
Наразі найшвидші модулі DDR5 DIMM від Samsung мають швидкість передачі до 7200 Мбіт/с. Іншими словами, DDR6 буде в 0,7 раза швидше, а швидкість розгону буде в 1,36 раза швидше. Таким чином, першим смартфоном з чипом пам’яті DDR6 може стати Samsung Galaxy S25. Але не варто виключати, що Samsung спочатку постачатиме цю пам’ять іншим виробникам смартфонів.
