Нещодавно TSMC оголосила, що збирається виробляти 3-нм і 2-нм чипи. Відразу після цього Samsung, який є найближчим конкурентом тайванської компанії, заявив, що вже найближчими днями почне виробництво 3-нм чипів. Сьогодні Південнокорейська технологічна компанія першого рівня опублікувала офіційну заяву, в якій стверджується, що вона вже розпочала виробництво своїх 3-нм напівпровідникових чипів на заводі у Хвасоні в Південній Кореї.
Переваги 3-нм чипів Samsung
Що ще цікавіше, Samsung відмовляється від архітектури FinFET (fin field-effect transistor) на користь GAA (Gate All Around). Останній має ряд переваг перед FinFET. Найголовніша особливість – вища здатність енергоощадження.
Крім того, у своєму 3-нм виробничому вузлі Samsung використовуватиме так званий процес виробництва нанолистових транзисторів, що замінює технологію нанодротів. Знову ж таки, завдяки 3-нм техпроцесу Samsung заощадить більше енергії.
Водночас Samsung надала цікаві цифри. У порівнянні з 5-нм процесом, 3-нм процес матиме на 23% кращу продуктивність, що ще цікавіше, споживання електроенергії впаде на 45%, 3-нм чипи будуть на 16% меншими за 5-нм чипи.
Те, що ми говоримо вище, стосується першого покоління майбутнього 3-нм процесу Samsung. Що стосується другого покоління, то він матиме 50% збільшення енергоефективності, на 30% кращу продуктивність і на 35% меншу площу.
«Samsung стрімко розвивався, оскільки ми продовжуємо демонструвати лідерство у застосуванні технологій наступного покоління у виробництві, таких як перші в ливарній галузі високоякісні металеві ворота, FinFET, а також EUV. Ми прагнемо продовжити це лідерство за допомогою першого у світі 3-нм процесу з MBCFETTM. Ми будемо продовжувати активні інновації в конкурентоспроможному розвитку технологій та будувати процеси, які допомагають прискорити досягнення зрілості технології».
Першим чипом з 3-нм техпроцесом, ймовірно, буде Exynos 2300 наступного покоління (кодова назва Quadra S5E9935). Як відомо, нинішні чипи Exynos не користуються популярністю. А Samsung хоче вигнати Qualcomm з новими 3-нм SoC Exynos.